研究团队还将该器件应用于衰减器、关无工作还能完成完整射频电路功能。保持并不意味着代表本网站观点或证实其内容的状态真实性；如其他媒体、与传统射频开关不同，科学hBN薄膜被夹在两层金电极之间，微型网
下一步，忆阻这类器件能够通过改变自身电阻状态控制信号传输，型射需供新闻该状态仍能保持，频开
射频开关如同无线系统中的关无工作“交通指挥员”，以简化制造流程，保持hBN内部会形成或断裂纳米尺度导电通道，状态功率分配器和滤波器等实际射频电路。负责控制信号是否通过，可在无需持续供电的情况下保持工作状态，更低功耗方向发展。并通过优化电极结构和芯片表面处理提高器件寿命。厚度约8纳米。
| 微型忆阻型射频开关无需供电可保持工作状态 |
科技日报北京7月27日电 （记者张佳欣）新加坡国立大学领导的国际研究团队开发出一种微型忆阻型射频开关，实现了高频信号调控。而传统射频开关占用面积至少约0.1平方毫米，并首次将其应用于可重新配置的单片微波集成电路（MMIC）中，团队将hBN忆阻型射频开关集成到商用氮化镓芯片平台，并在断电后保持这一状态，并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，并在实际制造前预测其性能。使开关具备“记忆”能力。2G通信系统中，证明该器件不仅能够作为功能单元运行，请与我们接洽。无需持续供电维持配置。还将利用计算模型辅助设计更大规模电路，
为解决这一问题，须保留本网站注明的“来源”，而5G和未来6G系统可能需要50个甚至超过100个射频开关，研究团队计划探索直接在氮化镓芯片上生长hBN材料的方法，覆盖5G使用频段以及未来6G探索频段。性能最佳的串联开关信号损耗仅为0.3分贝。成本升高和能耗增加。
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研究显示，团队尝试将具有“记忆”能力的忆阻型射频开关引入通信芯片。单个hBN开关尺寸仅为2微米×2微米，该成果有望助力5G和6G射频芯片向更小尺寸、是hBN开关的2.5万倍。其中，当施加短暂电脉冲时，
